Avec l’architecture VTFET permettant de placer les transistors verticalement sur les galettes de silicium, IBM prévoit de doubler les performances des puces ou de réduire la consommation d’énergie par rapport à l’architecture finFET. Une innovation présentée avec son partenaire Samsung.
Lors de la conférence IEDM 2021, qui se tient à San Francisco du 11 au 15 décembre 2021, IBM a annoncé avec son partenaire Samsung une avancée dans la conception de semiconducteurs qu’il qualifie de révolutionnaire. L’approche Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor pourrait « maintenir la loi de Moore en vie » sur les années à venir, expose IBM Research. Le design VTFET consiste à empiler les transistors sur les puces. Actuellement, dans les architectures utilisées de…
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